三星电子和IBM公布半导体设计突破 性能有望提升两倍或减少85%能源使用量

12月16日 消息:IBM和三星电子推出了一种新的半导体设计——采用垂直晶体管架构的垂直传输场效应晶体管 (VTFET)。

两家公司于12 月15日宣布，与缩放鳍式场效应晶体管 (finFET) 相比，新的半导体设计有可能将能源使用量减少85%。三星电子还公布了一项生产 IBM 5纳米芯片的计划，用于服务器。

VTFET是一种在芯片表面垂直堆叠晶体管的技术。从历史上看，晶体管被制造成平放在半导体表面上，电流横向流过它们。借助 VTFET，IBM 和三星已经成功地实现了垂直于芯片表面构建的晶体管，并具有垂直或上下电流。

VTFET 工艺解决了许多性能障碍和限制，以扩展摩尔定律，因为芯片设计人员试图将更多晶体管装入固定空间。它还影响晶体管的接触点，从而以更少的能量浪费获得更大的电流。总体而言，与按比例缩放的 finFET 替代方案相比，新设计旨在将性能提高两倍或将能源使用减少85%。

IBM和三星电子在美国纽约州的奥尔巴尼纳米技术研究中心联合开发了 VTFET 技术。

同一天，IBM还宣布三星将生产基于节点的 5 纳米IBM芯片。该芯片有望使用在IBM自己的服务器平台。三星在2018年宣布将制造 IBM 的7纳米芯片，该芯片在今年早些时候用于 IBM Power10 服务器系列。IBM今年 4 月亮相的人工智能(AI)处理器Telum也是三星基于IBM的设计制造的。